本申请提供一种基于有源硅中介层的封装结构及其制作方法，应用于基于有源硅中介层的封装结构技术领域，基于有源硅中介层的封装结构包括：封装载体，包括第一焊盘阵列；有源硅中介层，位于封装载体上方，且有源硅中介层包括第二焊盘阵列和第三焊盘阵列；第一金属引线，用于连接第二焊盘阵列与第一焊盘阵列；芯片模组，位于有源硅中介层上方，芯片模组包括至少一个芯片，芯片包括第四焊盘阵列，第四焊盘阵列中与第三焊盘阵列中的焊盘根据同一焊盘布局规划设置，第四焊盘阵列与第三焊盘阵列之间通过第一凸点连接。避免采用TSV工艺，减少工艺缺陷，降低了制造难度以及成本，提高了封装良率。实现对有源硅中介层的复用，进一步降低有源硅中介层的成本。